【第一參賽人/留學(xué)人員】羅志耀
【留學(xué)國家】美國
【技術(shù)領(lǐng)域】新一代信息技術(shù)
【參賽屆次】第9屆
【所獲獎項】入圍
【項目簡介】
項目研發(fā)周期預(yù)計為3年,本項目研究內(nèi)容主要支持手機(jī)射頻芯片國產(chǎn)化,其中包括 4 種不同的射頻前端產(chǎn)品,它們分別是:FCX11088(多模多頻段功放模塊)、FCX11077(5G n77功放模塊包括濾波器和低噪聲放大器)、FCX61825(5G低頻段L-PAMiD模塊)、FCX61885(5G中高頻段L-PAMiD模組),雖然他們有不同的架構(gòu)和應(yīng)用,但我們可以總結(jié)其技術(shù)共同點(diǎn)如下:系統(tǒng)封裝模塊(SiP)、高度集成的模塊設(shè)計。該項目的完成能達(dá)到以下目標(biāo):1、使得項目能夠創(chuàng)建一流的射頻前端模塊產(chǎn)品,并作為公司下一級產(chǎn)品的基石;2、使得企業(yè)內(nèi)部資金可以良性循環(huán),投入更多在新產(chǎn)品的研發(fā)以及技術(shù)升級上,提高我們在世界上同行業(yè)領(lǐng)域的國際競爭力;3、可以幫助模塊供應(yīng)商共同提升整體芯片行業(yè)的制造技術(shù),在提高了技術(shù)的同時又可以大幅度縮短新產(chǎn)品開發(fā)周期。
【展開】
【收起】